Wzmacniacze małosygnałowe realizowane na tranzystorach bipolarnych i unipolarnych

Spis treści

WSTĘP 3

ROZDZIAŁ 1. TRANZYSTORY UNIPOLARNE I BIPOLARNE I ICH CHARAKTERYSTYKA 5
1.1. TRANZYSTORY BIPOLARNE 6
1.1.1. ZASADA DZIAŁANIA I PODSTAWOWE PARAMETRY TRANZYSTORA 10
1.1.2. UKŁAD PRACY TRANZYSTORA 13
1.1.3. PODSTAWOWE CHARAKTERYSTYKI 15
1.1.4. POSTACIE MODELI MAŁOSYGNAŁOWYCH TRANZYSTORA BIPOLARNEGO 18
1.2. TRANZYSTORY POLOWE (UNIPOLARNE) 20
1.2.1. TRANZYSTOR ZŁĄCZOWY 21
1.2.2. TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ 24
1.2.3. MAŁO SYGNAŁOWY MODEL TRANZYSTORA MOSFET 27
1.2.4. MAŁOSYGNALOWY ADMITANCYJNY SCHEMAT ZASTĘPCZY TRANZYSTORÓW POLOWYCH 30

ROZDZIAŁ 2. CHARAKTERYSTYKA WZMACNIACZY MAŁOSYGNAŁOWYCH 32
2.1. MAŁOSYGNAŁOWE WZMACNIACZE PASMOWE Z TRANZYSTORAMI POLOWYMI 32
2.2. WZMACNIACZE Z UJEMNYM SPRZĘŻENIEM ZWROTNYM 40
2.3. WZMACNIACZE ZE SPRZĘŻENIEM BEZPOŚREDNIM 48
2.4. WZMACNIACZE SELEKTYWNE 57

ROZDZIAŁ 3. PROJEKT STANOWISKA POMIAROWEGO DO BADANIA PODSTAWOWYCH PARAMETRÓW WZMACNIACZY NAPIĘCIOWYCH 64
PODSUMOWANIE 64
LITERATURA 65
SPIS TABEL I RYSUNKÓW 66

Liczba stron 66
Nazwa Szkoły Wyższej
Rodzaj pracy inżynierska
Rok oddania 2011
image_pdfimage_print